GTO snubber kapasitor ing peralatan elektronik daya

Katrangan singkat:

Sirkuit snubber penting kanggo dioda sing digunakake ing sirkuit switching.Bisa nylametake dioda saka spike overvoltage, sing bisa kedadeyan sajrone proses pemulihan mbalikke.

Kirimi email kanggo kita Ngundhuh minangka PDF

Detail Produk

Tag produk

data teknis

Kisaran suhu operasi	Suhu operasi maks., Ndhuwur, maks: + 85 ℃ Suhu kategori ndhuwur: + 85 ℃ Suhu kategori ngisor: -40 ℃
kisaran kapasitansi	0,22~3μF
Dirating voltase	3000V.DC ~ 10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Tahan voltase	1.35Un DC/10S
Faktor disipasi	tgδ≤0,001 f=1KHz
Resistance insulasi	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ing 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (ing 20℃ 100V.DC 60S)
Tahan arus serangan	ndeleng datasheet
pangarep-arep urip	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
Standar referensi	IEC 61071 ;

Fitur

1. Pita Mylar, Disegel nganggo resin;

2. Nut tembaga ndadékaké;

3. Resistance kanggo voltase dhuwur, tgδ kurang, munggah suhu kurang;

4. ESL lan ESR kurang;

5. Arus pulsa dhuwur.

Aplikasi

1. GTO Snubber.

2. Digunakake digunakake ing peralatan elektronik daya nalika voltase puncak, pangayoman panyerepan puncak saiki.

Sirkuit khas

Nggambar garis

Spesifikasi

Un=3000V.DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un = 6000 V. DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un = 10000 V DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70